上證報中國證券網(wǎng)訊（記者 覃秘）“第三代半導體技術水平持續(xù)提升，市場保持高速增長，行業(yè)投融資與擴產(chǎn)熱情不減，2023年全年僅SiC相關投資就超過千億元。”4月9日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲在接受上證報記者采訪時表示。
當天，在2024九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會上，吳玲代表第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告》（下簡稱“報告”）。
報告顯示，2023年，第三代半導體功率電子器件模塊市場達到153.2億元，同比增長45%；射頻電子器件模塊市場約102.9億元，同比增長16.2%；LED器件市場782.2億元，同比微增0.5%。
新能源汽車為市場增長的主要驅動力。據(jù)統(tǒng)計，在功率電子器件模塊市場，來自新能源汽車的業(yè)務占比超過70%。
面對巨大的市場需求，車企紛紛布局第三代半導體業(yè)務。如比亞迪借助子公司比亞迪半導體重金投入，蔚來建設了SiC功率模塊工藝試驗線；三大汽車央企均選擇合資模式，如上汽集團與英飛凌合資成立上汽英飛凌，上汽集團還與上海微技術工業(yè)研究院成立上海汽車芯片工廠中心；此外，一批汽車企業(yè)選擇戰(zhàn)略投資功率半導體企業(yè)，如小鵬投資天岳先進和瞻芯電子。
報告還顯示，2023年，第三代半導體功率電子領域融資項目78起，披露金額約440億元，相較于2022年的披露金額63.2億元大幅增長。行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)多起大額融資，如積塔半導體融資135億元、長飛先進融資超38億元，三安光電獲股東增資100億元等。
吳玲介紹，國內(nèi)第三代半導體技術和產(chǎn)業(yè)取得顯著進步。國產(chǎn)6寸襯底+外延實現(xiàn)批量生產(chǎn)，國內(nèi)主流廠商8英寸SiC襯底基本完成送樣，預期在2025年前后量產(chǎn)；國產(chǎn)SiC MOSFET在光、儲、充領域全面開始導入，汽車主驅2024小批量導入；企業(yè)開始布局或開發(fā)溝槽柵SiC MOSFET，三安集成、中車時代，積塔、華為、華潤微、士蘭微等都規(guī)劃開發(fā)溝槽柵SiC MOSFET，多個企業(yè)已獲得相關專利。
吳玲同時提到，當前，我國第三代半導體技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著諸多挑戰(zhàn)，如核心材料和器件的規(guī)模化生產(chǎn)能力亟待突破；開放的、企業(yè)深度有效參與的研發(fā)中試和驗證平臺能力有待提升；企業(yè)小、散、弱，低水平同質(zhì)競爭，產(chǎn)業(yè)集中度低，產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)亟待完善；標準、檢測認證、質(zhì)量評價體系、各層次人才隊伍相比產(chǎn)業(yè)發(fā)展滯后，亟需加強等。
