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- 聯(lián)系人:業(yè)務(wù)經(jīng)理
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榮譽(yù)資質(zhì)
友情鏈接
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公司名稱: |
深圳市大芯超導(dǎo)有限公司 |
公司類型: |
企業(yè)單位 () |
所在地區(qū): |
廣東/深圳市 |
公司規(guī)模: |
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注冊(cè)資本: |
未填寫(xiě) |
注冊(cè)年份: |
2012 |
資料認(rèn)證: |
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保 證 金: |
已繳納 ¥0.00 元 |
經(jīng)營(yíng)范圍: |
Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET國(guó)產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅SiC MOSFET國(guó)產(chǎn)替代,ON安森美碳化硅SiC MOSFET國(guó)產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅MOSFET模塊國(guó)產(chǎn)替代,英飛凌混合SiC-IGBT單管國(guó)產(chǎn)替代,英飛凌混合SiC三電平替代,Vincotech三電平IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代,ON安森三電平IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代 |
銷售產(chǎn)品: |
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采購(gòu)產(chǎn)品: |
基本半導(dǎo)體,儲(chǔ)能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國(guó)產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFE |
主營(yíng)行業(yè): |
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